高精激光位移传感器

激光LED,可见光,反光等级分为2级，双通讯、三开关量、双模拟量等多种通讯方式反应时间分别为200s、500us、1ms、2ms，光斑小, 光斑只有0.1x1mm检测精度达+0.1% F.S，检测范围分别为30mm、50mm、85mm、120mm、250mm5种不同的分辨率:0.5μm、1.5 μm 、2.5 μm 、8 μm 、20 μm 产品型号 (注1) 高 功 能 型 KNW03-L KNW05-L KNW08-L KNW12-L KNW25-L 测定方式 扩散反射 测定中心距离 30mm 50mm 85mm 120mm 250mm 测定范围 ±4mm ±10mm ±20mm ±60mm ±150mm 光源 红色半导体激光，级别1(JIS/IEC/GB/KS/FDA Laser Notice No.50/GB) 最大输出：0.39mW、投光峰波长：655nm 光束直径 1.75×3.5mm 受光部 CMOS图像传感器 分辨率 0.5μm 1.5μm 2.5μm 8μm 20μm 线性度 ±0.2%F.S. 温度特性 ±0.08%F.S./℃ 电源电压 24V DC±10% 包括脉动0.5V(P-P) 电流消耗 100mA以下 取样周期 200μs、500μs、1ms、2ms 模拟输出 电压 输出范围：0～10.5V(正常时)、11V(警告时) 输出阻抗：100Ω 电流 输出范围：3.2～20.8mA(正常时)、21.6mA(警告时)负载阻抗：300Ω以下 OUT1输出 OUT2输出 OUT3输出 判断输出或警告输出(设定切换式) NPN晶体管集电极开路/PNP晶体管集电极开路(切换式) <NPN动作设定时> 最大流入电流：50mA 施加电压：3～24V DC(输出一0V间) 剩余电压：2V以下 当流入电流为50mA时) 漏电流：0.1mA以下 <PNP动作设定时> 最大流出电流：50mA 剩余电压：2.8V以下 (当出电流为50mA时) 漏电流：0.1mA以下 输出动作 0N(输出动作)时开路 短路保护 配备(自动恢复式) NP切换输入 OV连接时：NPN集电极开路输出动作 电源24V DC连接时：PNP集电极开路输出动作 定时输入 NPN动作设定时：连接0V时动作或者连接中动作(因设定而异) PNP动作设定时：连接外部电源+时动作或者连接中动作(因设定而异) PNP动作设定时：连接外部电源+时动作或者连接中动作(因设定而异) 多路输入 根据输入时间进行调零、复位、内存切换、示教、保存、激光控制 NPN动作设定时：依据连接0V的时间 PNP动作设定时：依据连接外部电源+的时间 通信接口(高功能型) RS-422或RS-485 波特率：9,600/19,200/38,400/115,200bps 数据长8bit、结束位长1bit、奇偶校验无、BCC有、数据 区分：CR 显示灯 激光投光 绿色发光二极管激光投光时亮起 警告 橙色发光二极管光量不足致使无法测定的状态 输出 黄色发光二极管(显示灯数：3)输出动作时亮起 数字显示部 红色发光二极管符号和5位显示 保护构造 IP67(除连接器部) 污损度 2 绝缘电阻 DC 250V Megger 时 20MΩ以上(所有端子-壳体之间) 耐电压 AC 1,000V 1分钟(所有端子-壳体之间) 耐振动 耐久频率：10～55Hz(周期1分钟)双振幅：1.5mm X、Y、Z方向各2小时 耐冲击 500m/s2 X、Y、Z方向各3次 周围照明度 3,000lx以下(白炽灯时的受光面照明度) 周围温度 -10～+45°C(注意不可结露、结冰)存储时： -20～+60°C 周围湿度 35～85%RH 存储时：35～85%RH 使用高度 2,000m以下 材质 本体外壳：PBT、前盖：丙烯、电缆：PVC 电缆 高功能型：0.5m 电缆延长 高功能型：用可选电缆(另售)全长可延长至20m 紧固扭矩 0.8N·m以下 重量 高功能型 约70g(不包括电缆)、约110g(包括电缆)、约160g(包装) 适用标准 EMC指令适用 (注1): 未指定时的测定条件为：电源电压24V DC、环境温度：20°C:取样周期：500μs、 平均次数：1,024次、测定中心距离、对象物体：铝蒸着表面反射镜、模拟输出。 标签：激光传感器,银联激光传感器,一清机,激光传感器怎么办理 -->

附图：/uploads/products/high-precision-laser-displacement-sensor-2.jpg、/uploads/products/high-precision-laser-displacement-sensor-3.png、/uploads/products/high-precision-laser-displacement-sensor-4.png、/uploads/products/high-precision-laser-displacement-sensor-5.png、/uploads/products/high-precision-laser-displacement-sensor-6.png

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主要技术参数：分辨率:0.5μm、1.5 μm 、2.5 μm 、8 μm 、20 μm 产品型号 (注1) 高 功 能 型 KNW03-L KNW05-L KNW08-L KNW12-L KNW25-L 测定方式 扩散反射 测定中心距离 30mm 50mm 85mm 120mm 250mm 测定范围 ±4mm ±10mm ±20mm ±60mm ±150mm 光源 红色半导体激光，级别1(JIS/IEC/GB/KS/FDA Laser Notice No.50/GB) 最大输出：0.39mW、投光峰波长：655nm 光束直径 1.75×3.5mm 受光部 CMOS图像传感器 分辨率 0.5μm 1.5μm 2.5μm 8μm 20μm 线性度 ±0.2%F.S. 温度特性 ±0.08%F.S./℃ 电源电压 24V DC±10% 包括脉动0.5V(P-P) 电流消耗 100mA以下 取样周期 200μs、500μs、1ms、2ms 模拟输出 电压 输出范围：0～10.5V(正常时)、11V(警告时) 输出阻抗：100Ω 电流 输出范围：3.2～20.8mA(正常时)、21.6mA(警告时)负载阻抗：300Ω以下 OUT1输出 OUT2输出 OUT3输出 判断输出或警告输出(设定切换式) NPN晶体管集电极开路/PNP晶体管集电极开路(切换式) <NPN动作设定时> 最大流入电流：50mA 施加电压：3～24V DC(输出一0V间) 剩余电压：2V以下 当流入电流为50mA时) 漏电流：0.1mA以下 <PNP动作设定时> 最大流出电流：50mA 剩余电压：2.8V以下 (当出电流为50mA时) 漏电流：0.1mA以下 输出动作 0N(输出动作)时开路 短路保护 配备(自动恢复式) NP切换输入 OV连接时：NPN集电极开路输出动作 电源24V DC连接时：PNP集电极开路输出动作 定时输入 NPN动作设定时：连接0V时动作或者连接中动作(因设定而异) PNP动作设定时：连接外部电源+时动作或者连接中动作(因设定而异) PNP动作设定时：连接外部电源+时动作或者连接中动作(因设定而异) 多路输入 根据输入时间进行调零、复位、内存切换、示教、保存、激光控制 NPN动作设定时：依据连接0V的时间 PNP动作设定时：依据连接外部电源+的时间 通信接口(高功能型) RS-422或RS-485 波特率：9,600/19,200/38,400/115,200bps 数据长8bit、结束位长1bit、奇偶校验无、BCC有、数据 区分：CR 显示灯 激光投光 绿色发光二极管激光投光时亮起 警告 橙色发光二极管光量不足致使无法测定的状态 输出 黄色发光二极管(显示灯数：3)输出动作时亮起 数字显示部 红色发光二极管符号和5位显示 保护构造 IP67(除连接器部) 污损度 2 绝缘电阻 DC 250V Megger 时 20MΩ以上(所有端子-壳体之间) 耐电压 AC 1,000V 1分钟(所有端子-壳体之间) 耐振动 耐久频率：10～55Hz(周期1分钟)双振幅：1.5mm X、Y、Z方向各2小时 耐冲击 500m/s2 X、Y、Z方向各3次 周围照明度 3,000lx以下(白炽灯时的受光面照明度) 周围温度 -10～+45°C(注意不可结露、结冰)存储时： -20～+60°C 周围湿度 35～85%RH 存储时：35～85%RH 使用高度 2,000m以下 材质 本体外壳：PBT、前盖：丙烯、电缆：PVC 电缆 高功能型：0.5m 电缆延长 高功能型：用可选电缆(另售)全长可延长至20m 紧固扭矩 0.8N·m以下 重量 高功能型 约70g(不包括电缆)、约110g(包括电缆)、约160g(包装) 适用标准 EMC指令适用 (注1): 未指定时的测定条件为：电源电压24V DC、环境温度：20°C:取样周期：500μs、 平均次数：1,024次、测定中心距离、对象物体：铝蒸着表面反射镜、模拟输出。

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适用于工业自动化产线、物流输送、机械加工定位、包装设备检测和现场距离测量等场景。